聯電大進擊 12項研發並進 股價衝上26年新高

聯電。（路透）

晶圓代工廠聯電（2303）昨（6）日股價強勢走高，開高且收在漲停價91.4元，寫下2000年6月以來、26年新高。市場除關注英特爾擴大晶圓代工與先進封裝佈局帶來的合作效應外，更聚焦聯電最新營業報告書揭露的技術藍圖。

董事長洪嘉聰在營業報告書中提到，聯電今年推進12項重點研發計劃，深化特殊製程佈局，並朝AI、高速傳輸、車用與高效能運算等應用擴展。

外電日前報導，由於臺積電先進製程產能持續滿載，Apple已與英特爾及三星電子進行初步接觸，討論未來晶片生產合作可能性，市場也因此聚焦在英特爾晶圓代工與先進封裝佈局進展，而與英特爾合作12奈米平臺的聯電同步受到矚目。

不過，聯電今年營運重點仍着重在特殊製程與技術升級。洪嘉聰在營運報告書中表示，聯電強化研發投入，專注成熟製程差異化，並積極拓展高附加價值應用領域，包括5G、人工智慧、物聯網與車用電子等市場，而在12項的重點研發項目中，12奈米FinFET平臺（12FFC）備受市場期待。

洪嘉聰分析，相較14奈米制程，12FFC具備更小晶片尺寸、更低功耗及更高性能，可廣泛應用於各類半導體產品；目前聯電與英特爾合作推進12奈米平臺，相關製程技術完成導入，並正於美國亞利桑那廠區進行驗證，預計後續進入量產；聯電也同步推進14奈米FinFET嵌入式高壓制程，將25V高壓制程與14奈米FinFET整合，可提升效能並降低功耗，鎖定車用與電源管理晶片需求。

在28奈米平臺方面，聯電今年已將28奈米嵌入式高壓低功耗平臺（28eHV-LP）延伸至筆電面板驅動IC（DDIC）應用，相較傳統方案可降低15%功耗，並強化元件微縮與整合能力；非揮發性記憶體也是聯電佈局重點之一，洪嘉聰說明，28奈米非揮發性記憶體平臺（28ESF4）已完成物聯網與車用電子驗證，並與多家客戶展開產品設計合作；22奈米RRAM平臺則與力旺電子合作升級，操作溫度範圍提高至125°C，以符合車用電子需求。