集邦： DRAM和NAND Flash供不應求不變 第2季漲幅再飆逾六成

集邦預估目前DRAM 和NAND Flash供不應求不變， 第2季漲幅再飆逾六成。（路透）

集邦科技今日發佈最新記憶體價格調查，2026年第2季因DRAM原廠積極將產能轉向高頻寬記憶體（HBM）、伺服器（server）應用，並採「補漲」策略拉近各類產品價差，儘管終端市場面臨出貨下修風險，但整體一般型DRAM合約價格仍將季增58-63%；NAND Flash市場持續因AI、資料中心需求主導，全產品線連鎖漲價的效應不減，預計第2季整體合約價格將季增70-75%。

集邦分析各類DRAM產品價格變化，PC DRAM部分，即便整機需求出現下修，但原廠同步縮減對PC OEM、模組廠的供貨，導致原廠滿足率較低的PC OEM須加價向原廠或模組廠採購，對價格形成支撐。

集邦表示，隨北美雲端服務供應商(CSP)對AI推論的應用情境逐漸明確，帶動AI server、通用型server需求上升，大容量RDIMM成爲主要採購目標。供給方面，原廠考量server DRAM的獲利居各類產品之首，優先分配位元產出至此。目前原廠也正與主要客戶洽談長約（LTA），作爲未來擴產依據，然短期供給仍維持緊縮。

智慧手機方面，品牌因記憶體成本壓力持續累積，不排除自2026年第二季起調整生產計劃，但預估上半年對mobile DRAM的拉貨力道暫不致出現大幅收縮。整體而言，隨着原廠與指標客戶談定第二季價格、立下漲幅基準，加上原廠欲藉由補漲縮小各應用間價差，mobile DRAM合約價將較前一季持續走升。

繪圖用（Graphics） DRAM部分，記憶體價格上漲造成筆電、遊戲機需求動能減弱，且可分配至GDDR的產能依然不足，第二季報價持續上修。Consumer DRAM的客戶多專注於薄利多銷的低單價產品，2025年初至今的漲價潮已造成部分產品的記憶體成本高於售價，故採購需求略有見緩，但大廠逐步退出consumer DRAM供給仍爲產業失衡主因，供不應求情況未見緩解。

集邦分析2026年第2季NAND Flash原廠雖透過製程升級、調升QLC比例提高位元產出，但增加幅度有限。來自AI server的需求保持強勁，PC、智慧手機廠商則被迫縮減產品容量，以抑制NAND Flash需求量。

即便PC需求不見好轉，但買方預期client SSD價格將持續上行，且擔心產能遭server完全排擠，出現庫存回補需求。然供應商爲追求營業利益最大化，持續縮減對client SSD的供給，第2季價格漲勢不墜。

其中以生成式AI進入大規模應用階段，高效能SSD需求顯著增長，enterprise SSD訂單成長未見放緩。集邦預估今年會明顯缺貨，新產能預計要到2027年底或2028年才能大規模開出。雲端服務供應商爲確保供貨穩定，願意接受漲價並簽訂長約，更增添原廠上調價格動力，eMMC /UFS部分，即使智慧手機市場低迷，旗艦機AI功能對高速傳輸的需求維持剛性，車用、工控需求也小幅回溫。從供給面來看，連帶使嵌入式記憶體eMMC/UFS與enterprise SSD和零售市場與記憶卡、隨身碟，第2季也都會同步大漲。