愛普法說會／IoTRAM 需求持續強勁 VHM與VHMStack專案將持續研發投入

愛普*（6531）3日召開法說會，公司表示，2026年IoTRAM需求將持續強勁，矽電容（S-SiCap）的IPC與IPD專案將進入擴產期，在先進封裝與3DIC成長趨勢中受惠；另外，VHM與VHMStack專案則將持續研發投入，公司期盼能帶動下一波高速成長的助力。

愛普*進一步說，公司將持續專注於高效能記憶體、先進封裝與AI加速領域的關鍵技術佈局，以完整的三大產品線優勢掌握 AI 時代帶來的結構性成長契機。愛普*說明，IoTRAM產品線在市場對穿戴式裝置、連網設備與顯示類應用的升級需求帶動下，於第4季維持穩健出貨；新一代ApSRAM於本季正式量產並獲多家客戶採用，具備數倍於前代的資料存取頻寬與更低功耗，特別契合AI功能快速導入穿戴裝置與微處理器的產業趨勢。

隨着市場對記憶體容量與長期供應穩定性的要求升高，公司預期 IoTRAM 將持續從 SDR/DDR 市場取得轉換需求，成爲長期成長主力，並將在穿戴、顯示與輕量 AI 裝置推動更多采用。

愛普*S-SiCap於去年第4季表現亮眼，主要來自IPC（具S-SiCap的矽中介層）多個專案於AI與HPC客戶導入後進入量產；第二代IPC亦同步進入試產，其電容密度可再提升一倍，並已獲主要客戶納入設計流程。

此外，愛普*積極推動IPD（分離式S-SiCap電容) 在embedded substrate與Land-side Capacitor（LSC）應用落地，預計於2026 年下半年進入量產階段，以對應 AI／HPC封裝面積日益成長、電源完整性要求大幅提升的市場趨勢。

愛普*認爲，隨着AI加速器封裝面積與功耗不斷提升，S-SiCap將成爲未來兩年公司重要支柱。另一方面，S-SiCap也正積極佈局新興的IVR（Integrated Voltage Regulator）領域．並與合作伙伴共同開發整合式高效供電方案，以提升先進運算的能效與穩定度。憑藉深厚的S-SiCap技術底蘊，公司在高階電源模組領域具備明確優勢，能在AI時代掌握具潛力的發展機會。

提及市場關注的供應鏈調整，公司特別說明，合作伙伴力積電銅鑼廠的產線調整，對愛普*整體營運的預期影響相當有限，公司已在第一時間與客戶協調，對應調整投產時程，並與力積電保持密切合作，加速製程轉移與相關驗證流程，以確保產品交期維持穩定。規劃皆在掌控之中，預期對後續出貨影響可望降至最低。